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現(xiàn)貨
深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
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地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室
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深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
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瑞智芯，只有原裝

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深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
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地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
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原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

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深圳市德力誠信科技有限公司
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
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現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
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天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
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地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
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瑞智芯只有原裝

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深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
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深圳市德江源電子有限公司
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聯(lián)系人：張先生
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地址：深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
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只做原裝，假一賠十

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
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一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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深圳市華雄半導體（集團）有限公司
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地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
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十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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CSD18513Q5A 技術(shù)參數(shù)

CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:211A (Tc) 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:139W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:159A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 24A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Ta），194A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:156W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.96 毫歐 @ 32A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18510KTTT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:274A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:132nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT