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CSD18510Q5B

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國(guó)上海

  • 65

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • CSD18510Q5B
    CSD18510Q5B

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 17500

  • TI

  • VSONP8

  • 22+

  • -
  • CSD18510Q5B
    CSD18510Q5B

    CSD18510Q5B

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 68000

  • TI

  • N/A最新

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • CSD18510Q5B
    CSD18510Q5B

    CSD18510Q5B

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • TI

  • VSON8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • CSD18510Q5B
    CSD18510Q5B

    CSD18510Q5B

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 18200

  • TI

  • VSON8

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原裝,實(shí)單可以支持。075...

  • CSD18510Q5BT
    CSD18510Q5BT

    CSD18510Q5BT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 29299

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD18510Q5B
    CSD18510Q5B

    CSD18510Q5B

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 65

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

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CSD18510Q5B 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18510KTTT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):274A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):11400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18510KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18509Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 毫歐 @ 32A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18509Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 毫歐 @ 32A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18504Q5AT 功能描述:N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta),50A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1656pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),77W(Tc) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT
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