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CIGT160806UM1R0MNC

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
CIGT160806UM1R0MNC PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • FIXED IND 1UH 1A 125MOHM SMD
  • 制造商
  • samsung electro-mechanics
  • 系列
  • CIGT
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 類型
  • 薄膜
  • 材料 - 磁芯
  • 金屬合成物
  • 電感
  • 1μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 125 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 特性
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0603(1608 公制)
  • 供應商器件封裝
  • 0603(1608 Metric)
  • 大小/尺寸
  • 0.063" 長 x 0.032" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.032"(0.80mm)
  • 標準包裝
  • 4,000
CIGT160806UM1R0MNC 技術參數(shù)
  • CIG32W1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 60 mOhm 1210 (3225 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG32W 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):60 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG32H2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.6A 125 mOhm 1210 (3225 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG32H 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:2.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):125 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG22LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.8A 40 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG22L6R8MNE 功能描述:6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):203 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):110 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE CIGT201210UMR24MNE CIGT201210UMR47MNE CIGT201210UMR47SNE
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