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CIG22L6R8MNE

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝特價現(xiàn)貨！

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • SAM

  • 13+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 372400

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 15+ROHS

  • -

  • 一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
CIG22L6R8MNE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 1008 Embossed T/R
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • POWER INDUCTOR,1008,6.8UH,20%,0.80A - Tape and Reel
  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 6.8UH 0.8A 1008
  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 功能描述
  • CIG Series 2520 6.8 uH 20 % 0.8 A SMD Shielded Power Inductor
  • 制造商
  • Samsung Semiconductor
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 1008 Embossed T/R
CIG22L6R8MNE 技術(shù)參數(shù)
  • CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:80 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 70 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIG22L1R2MNE 功能描述:1.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 65 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1.2μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:65 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE
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