參數(shù)資料
型號(hào): BZX85C200
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: surface mount silicon Zener diodes
中文描述: 表面貼裝硅穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 72K
代理商: BZX85C200
1.5
1.3
1
0.5
0
0
Tamb. ambient temperature oC
I
I
160
120
80
40
0
0
10
20
30
I, lead lenght (mm.)
10
2
5
4
3
2
5
4
3
2
5
4
3
2
10
1
0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
-5
V
1
= 0
-4
-3
-2
-1
10
1
10
10
10
10
10
tp (sec.)
K/W 10
3
d = 4 mm.
T
amb
= 25oC.
r
z
6
4
2
V
ZT
120
75
62
43
30
20
10
8
6
4
2
8
6
4
2
10
10
10
2
1
0
2
4 68
2
4 68
2
4 68
10
-1
10
0
10
1
I
Z
(mA)
Diferential resistance r
Z
vs, current I
Z
for several
regulation voltages V
ZT
Test conditions: AC signal, amplitude i
Z
= 10% of I
Z
, f = 1 kHz
provided that leads are kept
at ambient temperature at a
distance of 10 mm. from case.
Pulse thermal resistance
versus pulse duration. Valid
t
p
V=t
p
T
T
P
I
R
t
h
10 mm, - 10 mm.
25
50
75 100 125 150 175
THERMAL RESISTANCE
MAXIMUM CONTINUOUS
POWER DISSIPATION
Nov - 02
BZX85C6V2GP........BZX85C220GP
typ.
max.
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PDF描述
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BZX85C47GP Small signal Schotky diodes
BZX85C51GP Small signal Schotky diodes
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參數(shù)描述
BZX85-C200 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.3W 2% DO-41 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
BZX85C200-TR 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Zener Single 200V 5% 1.3W 2-Pin DO-41 T/R
BZX85C20R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Zener 20V 1.3W 2-Pin DO-41
BZX85C20-T 功能描述:穩(wěn)壓二極管 1.3W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85C20TAP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: