參數(shù)資料
型號： BZV55C36
英文描述： 1.225V micropower shunt voltage reference
中文描述： 齊納穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 15K
代理商： BZV55C36
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
FAX (781) 665-7379
E-mail: mail@cdi-diodes.com
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA
,
Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (
ROJEC):
100 C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (
ZOJX): 35
C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Derating: 3.33 mW / °C above +50°C
Forward Voltage: @ 200mA: 1.1 Volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
MAXIMUM
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdiff@ I Z
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR@ VR
TYPE
ZENER VOLTAGE
(NOTE 1)
VZ@ I ZT
VOLTS
MIN
MAX
2.2
2.6
2.5
2.9
2.8
3.2
3.1
3.5
3.4
3.8
3.7
4.1
4.0
4.6
4.4
5.0
4.8
5.4
5.2
6.0
5.8
6.6
6.4
7.2
7.0
7.9
7.7
8.7
8.5
9.6
9.4
10.6
10.4
11.6
11.4
12.7
12.4
14.1
13.8
15.6
15.3
17.1
16.8
19.1
18.8
21.2
20.8
23.3
22.8
25.6
25.1
28.9
28.0
32.0
31.0
35.0
34.0
38.0
37.0
41.0
40.0
46.0
44.0
50.0
48.0
54.0
52.0
60.0
58.0
66.0
64.0
72.0
70.0
79.0
mA
OHMS
mA
μ
A
VOLTS
BZV55 C2V4
BZV55 C2V7
BZV55 C3V0
BZV55 C3V3
BZV55 C3V6
BZV55 C3V9
BZV55 C4V3
BZV55 C4V7
BZV55 C5V1
BZV55 C5V6
BZV55 C6V2
BZV55 C6V8
BZV55 C7V5
BZV55 C8V2
BZV55 C9V1
BZV55 C10
BZV55 C11
BZV55 C12
BZV55 C13
BZV55 C15
BZV55 C16
BZV55 C18
BZV55 C20
BZV55 C22
BZV55 C24
BZV55 C27
BZV55 C30
BZV55 C33
BZV55 C36
BZV55 C39
BZV55 C43
BZV55 C47
BZV55 C51
BZV55 C56
BZV55 C62
BZV55 C68
BZV55 C75
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
50
20
10
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
.700
.500
.200
.100
.100
.100
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.2
ZENER DIODES
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
METALLURGICALLY BONDED
BZV55 C2V4
thru
BZV55 C75
NOTE 1
Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal
equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C.
MILLIMETERS INCHES
MIN
MAX
1.60
1.70
0.41
0.55
3.30
3.70
2.54 REF.
0.03 MIN.
DIM
D
F
G
G1
S
MIN
0.063 0.067
0.016 0.022
.130
.100 REF.
.001 MIN.
MAX
.146
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZV55C39 Low voltage adjustable shunt reference
BZV55C75 Zener Voltage Regulator Diode
BZV55C7V5 Zener Voltage Regulator Diode
BZV55C8V2 5V or 3V NVRAM supervisor for up to 8 LPSRAMs
BZV55C9V1 Zener Voltage Regulator Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZV55-C36 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes
BZV55C36 L0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000
BZV55C36 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 36V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
BZV55C36 L1G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500
BZV55-C36 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Zener Single 36V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
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