參數資料
型號： BZT55C39
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數： 5/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： BZT55C39
TELEFUNKEN Semiconductors
BZT55C...
5
Rev. A1: 12.12.1994
Dimensions in mm
Cathode Identification
1.5
1.3
94 9372
0.35
0.30
0.35
0.30
3.7
3.3
technical drawings
according to DIN
Quadro MELF
Glass Case similar to
JEDEC DO 213 AA
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
BZT55C39 L0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000
BZT55C39 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 39V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
BZT55C39 L1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500
BZT55C39-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55C39-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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