參數(shù)資料
型號： BZT55C12
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： BZT55C12
TELEFUNKEN Semiconductors
BZT55C...
1
Rev. A1: 12.12.1994
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9373
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Junction ambient
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Forward voltage
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PDF描述
BZT55C13 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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BZT55C18 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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參數(shù)描述
BZT55C12 L0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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