參數(shù)資料
型號: BUR51
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
中文描述: 大電流NPN硅晶體管(高電流npn型硅晶體管)
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商: BUR51
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
11
11.7
13.1
0.433
0.461
0.516
B
1.45
1.5
1.6
0.057
0.059
0.063
C
2.7
2.92
0.106
0.115
D
8.9
9.4
0.350
0.370
E
19
20
0.748
0.787
G
10.7
10.9
11.1
0.421
0.429
0.437
N
16.5
16.9
17.2
0.650
0.665
0.677
P
25
26
0.984
1.024
R
3.88
4.2
0.153
0.165
U
38.5
39.3
1.516
1.547
V
30
30.14
30.3
1.181
1.187
1.193
P003I
TO-3 (I) MECHANICAL DATA
BUR51
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUR52 High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
BUV21 High Current NPN Silicon Transistors(高電流NPN硅晶體管)
BUV27 Medium Power NPN Silicon Transistor(硅平面多外延工藝NPN晶體管)
BUV28 Silicon NPN Switching Transistor(硅開關(guān)NPN晶體管)
BUV50 High Power NPN Silicon Transistor(高功率NPN硅晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUR51S 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BUR52 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR52_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS
BUR52S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
BUR53D 制造商:SUNLED 制造商全稱:SunLED Corporation 功能描述:T-1 3/4 (5mm) BLINKING LED LAMP