參數(shù)資料
型號： BUL72B-LCC4
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | LLCC
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）| LLCC
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 17K
代理商： BUL72B-LCC4
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PDF描述
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BUL742C HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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BUL903EDFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BUL741 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL741_0707 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor
BUL741FP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN HI-VOLT FAST SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL742 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUL742A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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