參數(shù)資料
型號： BUK9624-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK9624-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9624-55
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 40 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
80
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1000
1
10
100
1000
7524-55
VDS / V
ID / A
RDS(ON) = VDS / ID
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10us
1ms
0.1s
10s
pulse width, tp (s)
Transient thermal impedance, Zth (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
April 1998
3
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
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BUK9635-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9675-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
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參數(shù)描述
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