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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9540 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管邏輯電平場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BUK9540 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9540-100A
BUK9640-100A
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 25 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
31
UNIT
mJ
1
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
1
10
100
1000
ID/A
10
100
1000
RDS(ON)=VDS/ID
DC
10us
100us
100ms
10ms
1ms
tp =
1us
VDS/V
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
1E-07
1E-05
1E-03
1E-01
1E+01
t/s
Zth/(K/W)
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
For maximum permissible repetive avanche current see fig.18.
December 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9640 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK9575-55 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK95R2-40B | TrenchMOS logic level FET |
| BUK9606-55 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK9608-56 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK9540-100 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK9540-100A | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9540-100A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK954R2-55B | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK954R2-55B,127 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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