參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9540-100
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： BUK9540-100
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9540-100A
BUK9640-100A
Fig.17. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.18. Maximum permissible repetitive avalanche
current(I
AV
) versus avalanche time(t
AV
) for unclamped
inductive loads.
Fig.19. Switching test circuit.
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
1
0.001
10
100
0.01
1
10
Avalanche Time, t
AV
(ms)
I
AV
Tj prior to avanche 150oC
25oC
December 1999
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9540 TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9640 TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9575-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK95R2-40B TrenchMOS logic level FET
BUK9606-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
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參數(shù)描述
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BUK9540-100A,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK954R2-55B 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK954R2-55B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK954R4-40B 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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