參數(shù)資料
型號： BUK9515-55
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標(biāo)）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 63K
代理商： BUK9515-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9515-100A
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 35 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
120
UNIT
mJ
December 1998
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9515 TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9524-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
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參數(shù)描述
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BUK9516-75B 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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