參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7728-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220F
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 22A條（?。﹟至220F
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
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代理商： BUK7728-55A
Philips Semiconductors
BUK7728-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 13 February 2001
8 of 13
9397 750 08001
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 15 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03ne18
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
VGS (V)
ID
Tj = 25 oC
Tj = 150 oC
03na41
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
VDD = 44 V
VDD = 14 V
03ne19
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD (V)
IS
Tj = 150 oC
Tj = 25 oC
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PDF描述
BUK7735-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F
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參數(shù)描述
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BUK7775-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
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BUK78150-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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