參數(shù)資料
型號(hào)： BUK762R7-30B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
文件大小： 336K
代理商： BUK762R7-30B
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
8 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03ne63
0
50
100
150
0
2
4
6
VGS (V)
ID
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
03ne61
0
2
4
6
8
10
0
30
60
90
120
QG (nC)
VGS
VDD = 32 V
VDD = 14 V
03ne60
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD (V)
IS
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK763R1-40B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7510-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7514-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
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參數(shù)描述
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BUK762R7-30B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK762R9-40E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
BUK762R9-40E,118 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel
BUK7631-100E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
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