參數(shù)資料
型號： BUK7618-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BUK7618-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7618-30
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 28 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
80
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7618-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7620-55 TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET)
BUK7621-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7728-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220F
BUK7735-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK7618-55 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK7618-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7618-55,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7618-55T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 57A I(D) | SOT-404
BUK7619-100B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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