參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7614-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK7614-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7614-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
16
10
8
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
VGS/V =
VDS/V
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
gfs/S
ID/A
0
5
10
15
20
25
30
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95100
ID/A
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
April 1998
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7615-100A TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK76150-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263AB
BUK7616-55A TrenchMOS standard level FET
BUK7618-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7618-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK7614-55,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7614-55A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape
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BUK7614-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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