參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7610-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 6800uF; Voltage: 50V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： BUK7610-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7610-30
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 45 A; V
≤
15 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
200
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7614-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7614-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7615-100A TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK76150-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263AB
BUK7616-55A TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK7610-55AL 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 122A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
BUK7610-55AL,118 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 122A 3pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7610-55AL_08 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7611-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
BUK7611-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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