- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369568 > BUK7606-55 (NXP Semiconductors N.V.) TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平FET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUK7606-55 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS（商標(biāo)）一級標(biāo)準(zhǔn)場效應(yīng)晶體管（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUK7606-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7606-55A
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.00001
0.001
0.1
10
0.001
0.01
0.1
1
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
Zth / (K/W)
t/S
D =
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0
2
4
6
8
10
0
100
200
300
400
ID/A
VDS/V
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
9.0
10.0
8.5
12
14
20
VGAS/V=
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
4
5
6
7
8
9
10
11RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
10.0
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
tp =
100mS
10mS
1mS
100uS
10uS
January 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK7610-30 | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 6800uF; Voltage: 50V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk |
| BUK7614-30 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7614-55 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7615-100A | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK76150-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK7606-55A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
| BUK7606-55A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7606-55A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7606-55B /T3 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7606-55B,118 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。