參數(shù)資料
型號： BUK7560-100A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 26 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 318K
代理商： BUK7560-100A
Philips Semiconductors
BUK7560-100A; BUK7660-100A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
7 of 15
9397 750 07807
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
VGS(th)
(V)
max.
typ.
min
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
1
2
3
4
5
max
typ
min
VGS (V)
ID
(A)
03nc98
0
5
10
15
20
0
10
20
30
40
50
ID (A)
gfs
03nd03
0
500
1000
1500
2000
2500
0.01
0.1
1
10
100
VDS (V)
C (pF)
Ciss
Coss
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PDF描述
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