參數(shù)資料
型號(hào)： BUK753R1-40B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 40V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
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代理商： BUK753R1-40B
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
12 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Soldering
Dimensions in mm.
Fig 19. Reflow soldering footprint for SOT404.
handbook, full pagewidth
MSD057
solder lands
solder resist
occupied area
solder paste
10.50
7.40
7.50
1.50
1.70
10.60
1.20
1.30
1.55
5.08
10.85
0.30
2.15
8.35
2.25
4.60
0.20
3.00
4.85
7.95
8.15
8.075
8.275
5.40
1.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7556-30 N-Channel Enhancement MOSFET
BUK7604-40A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7609-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7623-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-263AB
BUK762R7-30B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK753R1-40B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK753R1-40E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220
BUK753R1-40E,127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK753R1-40E/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
BUK753R4-30B,127 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK753R5-60E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
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