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參數(shù)資料
| 型號： | BUK7514-55 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET) |
| 中文描述： | 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | BUK7514-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7514-55
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
VDS = 14V
VDS = 44V
QG/nC
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
April 1998
5
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK7524-60 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7528-55 | TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET) |
| BUK7606-55 | TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET) |
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| BUK7614-30 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK7514-55A | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7514-55A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7514-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 68A I(D) | TO-220AB |
| BUK7514-60E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 60V 58A TO220 |
| BUK7514-60E,127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin TO-220AB Rail 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK7514-60E/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB |
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