- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373032 > BUK555-200A (NXP SEMICONDUCTORS) PowerMOS transistor Logic level FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK555-200A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | BUK555-200A |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
Logic level FET
BUK555-200A/B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 14 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 14 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
20
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =40
160
BUK555-200
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
1
2
BUK555-200A
VSDS / V
30
20
10
0
IF / A
Tj / C = 150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
April 1993
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK555-200B | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK555-60A | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK555-60B | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK555-60H | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK574-60H | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK555-200B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK555-200B/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| BUK555-50A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK555-50B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK555-60A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。