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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK456 |
| 廠(chǎng)商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | BUK456 |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK456-1000B
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKx56-hv
D =
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
BUK456-1000A
VDS / V
6
5
4
3
2
1
0
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
6
10
ID / A
VGS / V =
10
100
1000
VDS / V
ID / A
100
10
1
0.1
BUK456-1000B
RDS(ON) = VDS/ID
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
0
1
2
3
4
BUK456-1000A
ID / A
15
10
5
0
4.2
4.4
4.6
4.8
5
10
RDS(ON) / Ohm
VGS / V =
May 1995
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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