參數(shù)資料
型號: BUK438W-800B
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: RECTIFIER BRIDGE 8A 200V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述: 6.6 A, 800 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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代理商: BUK438W-800B
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK438W-800A/B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 7.6 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
20
40
60
80
100
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V = 160
640
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSDS / V
IF / A
BUK4y8-800
20
15
10
5
0
Tj / C = 150
25
February 1998
5
Rev 1.000
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PDF描述
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