參數(shù)資料
型號: BUJ101AU
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor
中文描述: 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝: PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: BUJ101AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ101AU
MECHANICAL DATA
Fig.22. SOT533 surface mounting package. Pin 2 connected to mounting base.
REFERENCES
OUTLINE
EUROPEAN
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT533
99-02-18
TO-251
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended package (Philips version of I-PAK); 3 leads (in-line)
SOT533
UNIT
D
e
Q
L
c
e1
A
2.285
mm
2.38
7.28
A1
0.89
b
0.89
0.56
0.46
E
1
D1
1.06
0.96
E
6.73
6.47
5.36
5.26
4.57
9.8
9.4
1.00
1.10
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
D
D1
L
1
2
3
mounting
base
e1
e
Q
b
A
E
E1
A1
c
w
September 1999
7
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ101AX Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103 Silicon Diffused Power Transistor
BUJ202AX Silicon Diffused Power Transistor
BUJ202A Silicon Diffused Power Transistor
BUJ204AX Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ101AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A127 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: