參數(shù)資料
型號： BU52001GUL-E2
廠商： Rohm Semiconductor
文件頁數(shù)： 12/34頁
文件大小： 678K
描述： IC HALL EFFECT SW BIPO VCSP50L1
特色產(chǎn)品： ROHM Hall Effect Sensor ICs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
傳感范圍： ±5.5mT 跳閘，±0.8mT 釋放
類型： 全極開關(guān)
電源電壓： 2.4 V ~ 3.3 V
電流 - 電源： 12µA
電流 - 輸出（最大）： ±1mA
輸出類型： 數(shù)字，開路集電極
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 4-UFBGA，CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： VCSP50L1
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 1377 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： BU52001GUL-E2DKR
Technical Note
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52053NVX,
BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
 
12/31
www.rohm.com
2011.12 - Rev.G
?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
 
BD7411G (Unless otherwise specified, V
DD
=5.0V, Ta=25)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Power Supply Voltage
V
DD
 
4.5
5.0
5.5
V     
Operate Point
B
opS
 
-
3.4
5.6
mT
 
B
opN
 
-5.6
-3.4
-
 
Release Point
B
rpS
 
1.5
3.0
-
mT
 
B
rpN
 
-
-3.0
-1.5
 
Hysteresis
B
hysS
 
-
0.4
-
mT
 
B
hysN
 
-
0.4
-
 
Output High Voltage
V
OH
 
4.6
-
-
V
B
rpN
<B
rpS
 
;
26
 
I
OUT
 =-1.0mA
Output Low Voltage
V
OL
 
-
-
0.4
V
B
opN
, B
opS
<B
;
26
 
I
OUT
 =+1.0mA
Supply Current
I
DD
 
-
2
4
mA    
;26 B = Magnetic flux density
 
1mT=10Gauss
 
Positive (+) polarity flux is defined as the magnetic flux from south pole which is direct toward to the branded face of the sensor.
 
Radiation hardiness is not designed.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU52003GUL-E2 IC HALL EFFECT SW BIPO VCSP50L1
BU52014HFV-TR IC HALL EFFECT SW BIPO HVSOF5
BU52040HFV-TR IC HALL EFFECT BIPO LATCH HVSOF5
D6B-2P SENSR TILT 35-65DEG 1MA SMD GUL
D7E-3 SENSOR TILT 50-80DEG 0.1A GRY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BU52003GUL 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs
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