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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU4506 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 擴(kuò)散硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | BU4506 |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4506AF
Fig.3. Switching times waveforms (16 kHz).
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. High and low DC current gain.
Fig.7. High and low DC current gain.
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
IC
IB
VCE
ICsat
IB1
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IB2
0.01
0.1
1
10
1
10
100hFE
IC / A
VCE = 1 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IB1
IC
IB
t
t
- IB2
0.01
0.1
1
10
1
10
100
VCE = 5 V
hFE
IC / A
Ths = 25 C
Ths = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
IC / A
VCESAT / V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
July 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BU4506AF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU4506AX | Silicon Diffused Power Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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