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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2532AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BU2532AW |
Philips Semiconductors
Initial specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2532AW
STATIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
CES
Collector cut-off current
2
I
CES
CONDITIONS
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
V
= 7.5 V; I
C
= 0 A
I
B
= 1 mA
I
C
= 7.0 A; I
B
= 1.17 A
I
C
= 7.0 A; I
B
= 1.17 A
I
C
= 1 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 7 A; V
CE
= 5 V
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
1.0
2.0
UNIT
mA
mA
I
BV
EBO
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
h
FE
Emitter cut-off current
Base-emitter breakdown voltage
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
-
-
1.0
-
5.0
0.97
27
12.5
mA
V
V
V
7.5
-
0.80
9
6
14
-
0.88
17
9
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
Switching times (82 kHz line
deflection dynamic test circuit).
t
s
Turn-off storage time
t
f
Turn-off fall time
CONDITIONS
I
Csat
= 7.0 A; L
C
= 100
μ
H; C
fb
= 3 nF;
V
CC
= 138 V; I
B(end)
= 1.0 A
TYP.
MAX.
UNIT
1.4
0.06
1.8
0.1
μ
s
μ
s
2
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
September 1997
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2614F | Consumer IC |
| BU2615F | Consumer IC |
| BU2619 | Consumer IC |
| BU2611 | Consumer IC |
| BU2611F | Consumer IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
| BU2532AW/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR POWER TO-247 |
| BU-25C | 功能描述:測(cè)試電夾 3" COPPER CLIP RoHS:否 制造商:Pomona Electronics 類型:Minigrabber clip 顏色:Black |
| BU25-C | 制造商:MUELLER ELECTRIC CO. 功能描述: 制造商:Mueller Electric Company 功能描述: |
| BU-25C | 制造商:MUELLER ELECTRIC 功能描述:AUTOMOTIVE CLIP |
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