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參數(shù)資料
| 型號： | BU2530AL |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-430, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | BU2530AL |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2530AL
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 1 V
Fig.5. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical turn-off losses.
P
TOT
= f (I
B
); parameter I
C
; f = 32 kHz
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
VCEsat / V
BU2530/2AL
IC / A
IC/IB = 10
IC/IB = 5
Tj = 85 C
Tj = 25 C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
BU2530/2AL
IC / A
VCE = 1 V
Tj = 85 C
Tj = 25 C
0
1
2
3
4
0.6
0.7
0.8
0.9
1
VBEsat / V
BU2530/2AL
IC = 9 A
IC = 7 A
IB / A
Tj = 85 C
Tj = 25 C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
BU2530/2AL
IC / A
VCE = 5 V
Tj = 85 C
Tj = 25 C
0
1
2
3
4
1
10
100
PTOT / W
BU2530AL
IB / A
Tj = 85 C
Tj = 25 C
September 1997
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2530AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2532AL | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2532AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2614F | Consumer IC |
| BU2615F | Consumer IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2530AW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2532AL | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
| BU2532AW/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR POWER TO-247 |
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