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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2525DW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BU2525DW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2525DW
Fig.14. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
;
Second-breakdown limits independant of temperature.
BU2525A
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000 VCE / V
ICM
ICDC
Ptot
100 us
1 ms
10 ms
DC
40 us
tp =
= 0.01
September 1997
5
Rev 1.100
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PDF描述 |
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