參數資料
型號: BTW69800
廠商: 意法半導體
英文描述: SCR
中文描述: 可控硅
文件頁數: 3/5頁
文件大小: 234K
代理商: BTW69800
BTW67 and BTW69 Series
3/5
Fig. 1:
Maximum average power dissipation
versus average on-state current.
Fig. 2:
Average and D.C. on-state current versus
case temperature.
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature.
Fig. 5:
number of cycles.
Surge peak on-state current versus
Fig.
current
tp < 10ms, and corresponding value of I2t.
6:
Non-repetitive
for
a
surge
peak
on-state
with
sinusoidal
pulse
width
相關PDF資料
PDF描述
BTW69N1000 SCR
BTW69N1200 SCR
BTW69 SCR
BTY791000R Transient Voltage Suppressor Diodes
BTY79400R Transient Voltage Suppressor Diodes
相關代理商/技術參數
參數描述
BTW69-800 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR 32A 800V TO-218
BTW69-800RG 功能描述:SCR 50 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BTW69N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:(74.38 k)
BTW69N1000 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SCR
BTW69N1200 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SCR