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參數(shù)資料
| 型號： | BTS650PE3230 |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 單外設(shè)驅(qū)動 |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | BTS650PE3230 |
Data Sheet BTS650P
Infineon Technologies AG
Page 6
2000-Mar-24
Parameter and Conditions
at
T
j
=
-40 ... +150
°C,
V
bb
=
12
V unless otherwise specified
Symbol
Values
typ
Unit
min
max
Diagnostic Characteristics
Current sense ratio,
static on-condition,
k
ILIS
=
I
L
:
I
IS
,
V
ON
<
1.5
V
19)
,
V
IS
<
V
OUT
-
5V,
V
bIN
>
4.0
V
see diagram on page 12
T
j
=25°C:
T
j
=150°C:
I
L
=
4
A,
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=150°C:
I
IS
=0
by
I
IN
=0
(e.g. during deenergizing of inductive
loads)
:
Sense current saturation
Current sense leakage current
I
L
=
90
A,
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=150°C:
I
L
=
20
A,
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=150°C:
I
L
=
10
A,
T
j
=-40°C:
k
ILIS
12 500
12 500
11 500
12 500
12 000
11 500
12 500
11 500
11 500
11 000
11 000
11 200
14 200
13 700
13 000
14 500
14 000
13 400
15 000
14 300
13 500
18 000
15 400
14 000
16 000
16 000
14 500
17 500
16 500
15 000
19 000
17 500
15 500
28 500
22 000
19 000
I
IS,lim
I
IS(LL)
I
IS(LH)
V
bIS(Z)
6.5
--
--
2
--
--
mA
I
IN
=
0:
V
IN
=
0,
I
L
T
j
=-40°C:
T
j
=
25...+150°C:
0:
--
--
0.5
--
--
--
A
Current sense overvoltage protection
I
bb
=
15
mA
Current sense settling time
20
)
60
62
--
66
--
V
t
s(IS)
500
s
Input
Input and operating current (see diagram page 13)
IN grounded (V
IN
=
0)
Input current for turn-off
21)
I
IN(on)
--
0.8
1.5
mA
I
IN(off)
--
--
80
A
19
)
If V
ON
is higher, the sense current is no longer proportional to the load current due to sense current
saturation, see
I
.
20
)Not tested, specified by design.
21
)We recommend the resistance between IN and GND to be less than 0.5
k
500
k
for turn-off. Consider that when the device is switched off (I
IN
=
0) the voltage between IN and GND
reaches almost V
bb
.
for turn-on and more than
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