參數(shù)資料
型號: BSS84LT3
元件分類: MOSFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: BSS84LT3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS84T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
BSS84T3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
BSS84 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84-7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
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參數(shù)描述
BSS84-NL 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:a??0.13A, a??50V. RDS(ON) = 10?? @ VGS = a??5 V
BSS84P 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, P, SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P CH MOSFET, -60V, 170mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 0.17A SOT23
BSS84P E6433 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSS84P H6327 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS84P L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube