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參數(shù)資料
| 型號： | BSS64R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | BSS64R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS64 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSS64 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BSS64LT1 | Driver Transistors(NPN Silicon) |
| BSS71DCSM | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS71S | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS64R-U6 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BSS64T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BSS64TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS64TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS64-U3 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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