參數資料
型號: BSS63R
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 100V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至236
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代理商: BSS63R
相關PDF資料
PDF描述
BSS63 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
BSS63 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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BSS63LT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
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參數描述
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BSS63T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
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BSS63TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2