型號: | BSS63R |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 100V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至236 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 67K |
代理商: | BSS63R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BSS63 | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
BSS63 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BSS63 | RP10 (EW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 12V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 10 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 84% |
BSS63LT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
BSS64L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
BSS63R-T6 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
BSS63T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BSS63-T3 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
BSS63TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSS63TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |