型號: | BSS225 |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 6/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSS225 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSS225 L6327 | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V .09A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSS225_11 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
BSS225H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSS225H6327FTSA1 | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal 600V 45Ohm 90mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS(導通):4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel |
BSS225H6327XTSA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 |