參數(shù)資料
型號(hào)： BSR13
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 45K
代理商： BSR13
1999 Apr 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN switching transistors
BSR13; BSR14
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
BSR13
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
E
= 0; V
CB
= 50 V; T
j
= 150
°
C
30
10
nA
μ
A
collector cut-off current
BSR14
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
10
10
nA
μ
A
I
EBO
emitter cut-off current
BSR13
BSR14
DC current gain
35
50
75
100
50
30
10
300
nA
nA
h
FE
I
C
= 0.1 mA; V
CE
= 10 V; note 1
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V; note 1
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; note 1
I
C
= 150 mA; V
CE
= 10 V; note 1
I
C
= 150 mA; V
CE
= 1 V; note 1
I
C
= 500 mA; V
CE
= 10 V; note 1
DC current gain
BSR13
BSR14
collector-emitter saturation voltage
BSR13
BSR14
collector-emitter saturation voltage
BSR13
BSR14
base-emitter saturation voltage
BSR13
BSR14
base-emitter saturation voltage
BSR13
BSR14
30
40
V
CEsat
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
400
300
mV
mV
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
1.6
1
V
V
V
BEsat
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
0.6
1.3
1.2
V
V
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
2.6
2
V
V
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