參數(shù)資料
型號： BSP75G(2)
英文描述： Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： BSP75G(2)
2000-03-07
Page 4
BSP 752 R
Electrical Characteristics
Parameter and Conditions
Symbol
Values
typ.
Unit
DW
7
M
&
Load Switching Capabilities and Characteristics
On-state resistance
T
j
= 25 °C,
I
L
= 1 A,
V
bb
= 9...52 V
T
j
= 150 °C
Nominal load current; Device on PCB
1)
T
C
= 85 °C,
T
j
￡
150 °C
Turn-on time to 90%
V
OUT
R
L
= 47
W
Turn-off time to 10%
V
OUT
R
L
= 47
W
Slew rate on 10 to 30% V
OUT
,
R
L
= 47
W
,
V
bb
= 13.5 V
Slew rate off 70 to 40% V
OUT
,
R
L
= 47
W
,
V
bb
= 13.5 V
9
EE
9
XQOHVVRWKHUZLVHVSHFLILHG
min.
max.
R
ON
-
-
150
270
200
380
m
W
I
L(nom)
1.3
1.7
-
A
t
on
-
80
180
μs
t
off
-
80
200
dV/dt
on
-
0.7
2
V/μs
-dV/dt
off
-
0.9
2
Operating Parameters
Operating voltage
Undervoltage shutdown of charge pump
T
j
= -40...+85 °C
T
j
= 150 °C
Undervoltage restart of charge pump
Standby current
T
j
= -40...+85 °C,
V
IN
= low
T
j
= +150 °C
2)
,
V
IN
= low
Leakage output current (included in
I
bb(off)
)
V
IN
= low
Operating current
V
IN
= high
V
bb(on)
V
bb(under)
6
-
-
-
-
-
52
4
5.5
V
V
bb(u cp)
I
bb(off)
-
-
-
4
-
-
5.5
15
18
μA
I
L(off)
-
-
5
I
GND
-
0.8
2
mA
1
Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air. (see page 17)
2higher current due temperature sensor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP762-T ?100mΩ. 5-34V 2.4A. P-DSO-8?
BSP772-T ?60mΩ. 5-34V 2.6A. P-DSO-8?
BSP92 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSR13 NPN switching transistors
BSR13 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP75GQTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BSP75GQTC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
BSP75GTA 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 TobereleasedQ4/03 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
BSP75GTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:BSP75 60V 0.55 Ohm Self-Protected Low-Side IntelliFETTM MOSFET Switch- SOT-223
BSP75GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
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