參數(shù)資料
型號(hào)： BSO9936
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？小信號(hào)MOSFET。 30V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 75mOhm。 4.2A。當(dāng)?shù)毓蛦T。雙？
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代理商： BSO9936
Semiconductor Group
01 / 1999
2
BSO 307 N
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Unit
Values
typ.
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point
Thermal resistance @ 10 sec., min. footprint
Thermal resistance @ 10 sec.,
6 cm
2
cooling area
1)
35
100
62.5
K/W
R
thJS
R
th(JA)
R
th(JA)
-
-
-
-
-
-
Electrical Characteristics,
at Tj
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Values
typ.
Symbol
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25 mA,
T
j
= 25 °C
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 20 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 4.1 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 5 A
V
(BR)DSS
30
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
I
DSS
-
-
0.1
10
1
100
μA
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
-
0.05
0.035
0.075
0.05
1
Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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