參數(shù)資料
型號： BS208
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： DMOS Transistors (P-Channel)(P通道DMOS晶體管)
中文描述： DMOS晶體管（P溝道）性（P通道的DMOS晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： BS208
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Drain-Source Breakdown Voltage
at –I
D
= 100
μ
A, V
GS
= 0
–V
(BR)DSS
240
250
–
V
Gate-Body Leakage Current
at –V
GS
= 15 V, V
DS
= 0
–I
GSS
–
–
10
nA
Drain Cutoff Current
at –V
DS
= 130 V, V
GS
= 0
at –V
DS
= 70 V, –V
GS
= 0.2 V
–I
DSS
–I
DSX
–
–
–
–
1
25
μ
A
μ
A
Gate-Source Threshold Voltage
at V
GS
= V
DS
, –I
D
= 1 mA
–V
GS(th)
0.8
1.5
2.5
V
Drain-Source ON Resistance
at –V
GS
= 5 V, –I
D
= 100 mA
R
DS(ON)
–
7
14
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
150
1)
K/W
Capacitances
at –V
DS
= 20 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
–
–
–
200
30
10
–
–
–
pF
pF
pF
Switching Times at –I
D
= 200 mA, –U
GS
= 10 V
Turn-on Time
Fall Time
t
on
t
f
–
–
5
15
–
–
ns
ns
1)
Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.
BS208
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