參數(shù)資料
型號(hào)： BLW97
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF power transistor
中文描述： 15 A, 33 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： BLW97
August 1986
8
Philips Semiconductors
Product specification
HF power transistor
BLW97
Fig.9
Intermodulation distortion (see note on
preceding page).
V
= 28 V; I
= 0,1 A; f
1
= 28,000 MHz;
f
2
= 28,001 MHz; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
120
240
80
60
40
MGP710
d3, d5
(dB)
PL (W) P.E.P.
typ
d3
d5
Fig.10 Power gain and double-tone efficiency.
V
CE
= 28 V; I
C(ZS)
= 0,1 A; f
1
= 28,000 MHz;
f
2
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
GP
(dB)
0
120
240
4
0
8
12
20
0
80
η
cdt
(%)
40
60
MGP711
PL (W) P.E.P.
η
cdt
GP
typ
RUGGEDNESS
The BLW97 is capable of withstanding full load mismatch
(VSWR = 50 through all phases) up to 150 W (P.E.P.) or a
load mismatch (VSWR = 5 through all phases) up to
175 W (P.E.P.) under the following conditions:
V
CE
= 28 V; f = 28 MHz; T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0,2 K/W.
Figures 11 and 12 t typical curves which are valid for one
transistor of a push-pull amplifier in s.s.b. class-AB
operation.
Fig.11 Power gain.
handbook, halfpage
10
MGP712
1
10
10
2
20
GP
(dB)
f (MHz)
typ
V
CE
= 28 V; I
= 0,1 A;
P
L
= 175 W(PEP); T
h
= 25
°
C;
Z
L
= 1,55
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PDF描述
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