參數(shù)資料
型號(hào)： BLW91
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： BLW91
1996 Feb 12
3
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
PowerMOS
BASE STATIONS (400 to 470 MHz)
Bipolar
PowerMOS
Note
1.
V
DS
= 12.5 V.
ANALOG CELLULAR (900 MHz)
Bipolar
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
50
BLF521
BLF522
5
12.5
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
40
220
BLW89
BLW90
BLW91
BLX94C
BLX94C
BLU60/28
30
60
28
28
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
35
40
150
45
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF522
(1)
BLF543
BLF544
BLF544
BLF545
BLF546
BLF548
BLF547
40
80
150
100
28
28
28
28
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
10
1
1
1
BFG10W/X
BFG540/X
BFG540/X
BFG520W/X
BLT71/8
BLT80
BLT70
BFG10W/X
1.2
1.2
1.2
1.2
4.8
6
4.8
3.6
BLT81
BLT71
BLT61
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LG0101
LG0201
LG0301
LG0401
LG0501
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW96 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLW96/01,112 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Dual N-CH 340W 10mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW96/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
BLW97 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF power transistor
BLW97/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*