參數(shù)資料
型號： BLW90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BLW90
August 1986
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW90
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C
Note
1.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
200
μ
s;
δ ≤
0,02.
Collector-emitter breakdown voltage
V
BE
= 0; I
C
= 4 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; I
C
= 20 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; I
E
= 2 mA
Collector cut-off current
V
BE
= 0; V
CE
= 30 V
Second breakdown energy; L = 25 mH; f = 50 Hz
open base
R
BE
= 10
D.C. current gain
(1)
I
C
= 0,3 A; V
CE
= 5 V
Collector-emitter saturation voltage
(1)
I
C
= 1,0 A; I
B
= 0,2 A
Transition frequency at f = 500 MHz
(1)
I
E
= 0,3 A; V
CB
= 28 V
I
E
= 1,0 A; V
CB
= 28 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 28 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 28 V
Collector-stud capacitance
V
(BR)CES
>
60 V
V
(BR)CEO
>
30 V
V
(BR)EBO
>
4 V
I
CES
<
2 mA
E
SBO
E
SBR
>
>
typ.
10 to 100
1 mJ
1 mJ
40
h
FE
V
CEsat
typ.
0,9 V
f
T
f
T
typ.
typ.
1,2 GHz
0,9 GHz
C
c
typ.
8,4 pF
C
re
C
cs
typ.
typ.
3,6 pF
1,2 pF
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PDF描述
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