參數(shù)資料
型號(hào)： BLW83
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-123A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： BLW83
August 1986
10
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW83
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT123A
97-06-28
0
5
10 mm
scale
Flanged ceramic package; 2 mounting holes; 4 leads
SOT123A
1
2
4
3
U3
U2
H
H
L
b
Q
D
U1
q
A
F
c
p
M
w2
B
C
C
A
w1
M
A B
α
UNIT
A
mm
D
b
5.82
5.56
0.18
0.10
9.73
9.47
9.63
9.42
20.71
19.93
3.33
3.04
6.61
6.09
7.47
6.37
c
D1
U2
U3
9.78
9.39
1.02
0.51
w2
w1
45
°
α
L
5.61
5.16
U1
25.15
24.38
Q
4.63
4.11
q
18.42
F
2.72
2.31
inches
0.229
0.219
0.007
0.004
0.383
0.373
0.397
0.371
0.815
0.785
0.131
0.120
0.26
0.24
0.294
0.251
0.385
0.370
0.04
0.02
0.221
0.203
0.99
0.96
0.182
0.162
0.725
0.107
0.091
p
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW85 HF/VHF power transistor
BLW86 HF/VHF power transistor
BLW87 VHF power transistor
BLW898 UHF linear power transistor
BLW90 UHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW87 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW89 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF
BLW898 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF linear power transistor
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