參數(shù)資料
型號： BLV99SL
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： UHF power transistor
中文描述： 超高頻大功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： BLV99SL
September 1991
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV99/SL
APPLICATION INFORMATION
RF performance T
mb
= 25
°
C in a common emitter class-B test circuit.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
CE
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
c
(%)
c.w. narrow band
900
24
2
>
8
typ. 9.3
>
55
typ. 63
Fig.5
Gain and efficiency as functions of load
power, typical values.
Class-B operation; V
CE
= 24 V; f = 900 MHz;
T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
1
3
PL (W)
Gp
(dB)
Gp
η
C
(%)
η
C
0
2
5
100
0
50
MBK469
Ruggedness in class-B operation
The BLV99/SL is capable of withstanding a full load
mismatch corresponding to VSWR = 50:1 through all
phases under the following conditions:
V
CE
= 24 V, f = 900 MHz,
T
mb
= 25
°
C, and rated output power.
Fig.6
Load power as a function of drive power,
typical values.
Class-B operation; V
CE
= 24 V; f = 900 MHz;
T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
1
0
0.1
0.2
0.4
PS (W)
PL
(W)
0.3
MBK470
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