參數(shù)資料
型號(hào)： BLT72
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大小： 27K
代理商： BLT72
1996 Feb 12
6
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
DIGITAL CELLULAR (1800 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1800 to 1900 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1900 to 2000 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1800 to 2000 MHz) CLASS AB OPERATION
Bipolar
Note
1.
In a SOT409 SMD package.
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
2
1
BFG540W/X
BFG540W/X
BFG10W/X
BFG10W/X
BLT14
BLT13
1.6
2
4.8
6
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
LLE18010X
LLE18010X
BGY1916
LLE18010X
LLE18010X
LLE18040X
LLE18040X
LFE20500X
LLE18040X
LLE18040X
LLE18150X
LLE18150X
15
50
50
75
90
24
24
26
24
24
2
×
LLE18300X
LLE18150X
LLE18300X
2
×
LXE18400X
2
×
LFE20500X
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
LLE18010X
LLE18010X
BGY1816
LLE18010X
LLE18010X
LLE18040X
LLE18040X
LFE18500X
LLE18040X
LLE18040X
LLE18150X
LLE18150X
15
50
50
75
90
24
24
26
24
24
2
×
LLE18300X
LLE18150X
LLE18300X
2
×
LXE18400X
2
×
LFE18500X
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
25
60
120
250
BGY1816; BGY1916
BLV2040
(1)
BLV2040
(1)
BLV2042
(1)
15
15
25
50
26
26
26
26
BLV2042
(1)
BLV2044
BLV2044
BLV2044
BLV2045
2
×
BLV2045
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW91 RF Power Transistors for UHF
LG0101
LG0201
LG0301
LG0401
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLT80 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSNPN10V0.25A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS,NPN,10V,0.25A, SOT223
BLT80 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BLT80,115 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN 7.5V 250mA UHF RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLT80/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF POWER SOT223
BLT80115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UHF POWER TRANSISTOR NPN 10V 250MA S
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