- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373021 > BLT61 (NXP SEMICONDUCTORS) UHF power transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLT61 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AA |
| 封裝： | MS-012AA, 8 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BLT61 |
1998 Jan 28
2
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power transistor
BLT61
FEATURES
High efficiency
High gain
Internal pre-matched input
Low supply voltage.
APPLICATIONS
Hand-held radio equipment in common emitter class-AB
operation for 900 MHz communication systems.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial power transistor encapsulated
in a SOT96-1(SO8) package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1, 8
base
emitter
collector
2, 4, 5, 7
3, 6
Fig.1 Simplified outline (SOT96-1; SO8).
k, halfpage
4
5
1
Top view
8
MBK187
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
s
≤
60
°
C in a common emitter test circuit.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
CE
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
≥
10
typ. 11.5
η
C
(%)
≥
50
typ. 63
CW, class-AB
900
3.6
1.2
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
14
7
3
0.8
4
+150
175
V
V
V
A
W
°
C
°
C
T
s
= 60
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT82 | UHF power transistor |
| BLT94 | UHF power transistor |
| BLU86 | UHF power transistor |
| BLU97 | UHF power transistor |
| BLU99 | UHF power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLT62 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF |
| BLT70 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLT70 T/R | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLT70,115 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLT71 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。