參數(shù)資料
型號： BLF378
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF push-pull power MOS transistor
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-262A1, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： BLF378
1998 Jul 29
5
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF378
Fig.6
Drain-source on-state resistance as a
function of junction temperature; typical
values per section.
I
D
= 5 A; V
GS
= 10 V.
handbook, halfpage
RDSon
(m
)
0
50
100
150
0
200
100
300
MGE621
Tj (
°
C)
Fig.7
Input and output capacitance as functions
of drain-source voltage; typical values per
section.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0
800
400
0
20
C
(pF)
40
VDS (V)
60
MGE615
Cos
Cis
Fig.8
Feedback capacitance as a function of
drain-source voltage; typical values per
section.
V
GS
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Crs
(pF)
0
10
50
300
100
0
200
MGE620
20
30
40
VDS (V)
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BLF3G21-30,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-30112 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF3G21-6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF3G21-6,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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